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    湖北台基半导体股份有限公司位于襄樊市襄城南郊,岘山北麓,内资股份制企业。台基公司是湖北省09年13家上市重点后备企业、湖北省100家优秀纳税企业、省重合同守信用单位,湖北省著名商标和精品名牌企业。公司注册资本4420万元,主营TECHSEM牌晶闸管及其模块的研发、制造和销售,是中国功率半导体器件的主要制造商之一,综合实力位居国内功率半导体行业前三强。产品广泛应用于金属熔炼、工业加热、电机调速、软启动、发配电等领域,以品种齐全、质量可靠、服务诚信享誉和畅销全国,并销往欧美、韩国、台湾及东南亚等国家和地区。
    台基公司人才齐全,产能优势突出。现在职员工510人,其中享受国务院津贴专家1名,工程硕士8人,高级工程师12人,技术研发人员32人。公司是国家电力电子行业协会副理事长单位、湖北省高新技术企业,拥有省级企业技术中心。公司一直专注于大功率晶闸管及模块的研发、制造、销售及相关服务。目前,公司已形成年产80万只大功率晶闸管及模块的生产能力,是我国销量领先的大功率半导体器件供应商。经过持续的技术引进和自主研发,公司已经掌握大功率晶闸管的核心技术。目前,公司正在研制具有国际级技术水平的6500V全压接大功率晶闸管、焊接式模块的制造技术以及IGBT的封装技术,技术水平位于国内同行前列。
   公司建立了遍及全国的销售网络,在国内拥有约850家直营客户(整机设备制造商),其中75家大客户为电力电子应用领域的龙头和骨干企业;同时还拥有49家特约经销商,5家一般经销商,触角延伸至全国各地,销售渠道在同业中具有明显的比较优势。报告期内,公司主导产品在国内连续保持年销售数量领先,销售收入前三位,其中在感应加热应用领域的市场占有率超过50%,保持全国前列。综合实力长期位居国内大功率半导体行业前三强。
    公司是国内大功率半导体器件领域为数不多的掌握前道(扩散)技术、中道(芯片制成)技术、后道(封装测试)技术并掌握大功率半导体器件设计、制造核心技术并形成规模化生产的企业。公司现拥有5项专利,8项专利申请权(其中2项发明专利申请权),22项非专利技术。公司主要技术人员累计参与起草了11项国家或行业标准。公司以技术中心总协调、以技术开发部为依托开展研发,并与华中科技大学联合设立仪华电力电子技术研究所(非法人机构);公司先后承担了国家发改委、科技部、商务部的国家级重点火炬计划项目等多项重点项目。
    公司2005年12月通过ISO9001:2000质量体系认证;2006年初公司产品通过了SGS通标公司的ROHS检测;2007年12月,公司产品通过了CE认证,并录入了铁道部《机车重要件定点验收目录》; 2009年7月,公司通过了ISO9001:2008质量体系认证。公司2004年起一直被评为高新技术企业。
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  改进的晶闸管高di/dt性能  
[2009-4-2]    字号:[][][]
 
随着晶闸管在各类大功率感应加热电源、变频器、交流开关、电机控制、脉冲功率等领域的应用逐步扩大,越来越多的用户对晶闸管器件提出了较高的电流上升率要求。襄樊台基半导体有限公司(原襄樊仪表元件厂)在原产品的基础上,通过优化设计和严格的工艺控制,大大提升了器件的开通临界电流上升率di/dt。经测试,所生产的高频、快速、普通系列晶闸管di/dt性能已达到国外同类产品水平。
一.             晶闸管高di/dt性能
晶闸管的开通临界电流上升率,反映了器件的大电流迅速开通能力。它与器件的开通速度、开通损耗、芯片局部热分布参数、热容量、热极限承受能力等因素均有关系。襄樊台基公司通过改善器件的分布式扩展门极结构、增强器件局部瞬时浪涌温度承受能力,大大提升了器件的di/dt能力。目前主要产品的di/dt指标如下:
普通晶闸管系列  (A/µs)    
型号
di/dt(不重复)
di/dt(重复)
Y24KP-Y40KP
400
200
Y40KP-55KP
600
350
Y60KP-Y89KP
700
400
 
 
 
 
 
 
 高频、快速晶闸管系列  (A/µs)                         
型号
di/dt(不重复)
di/dt(重复)
KA
1500
1000
Y30KK-Y40KK
1500
800
Y45KK-Y89KK
1500
1000
 
 
 
 
 
 
图一为Y70KKG晶闸管di/dt=1500A/µs测试时的电压和电流波形。
  注:测试条件                                                  
  芯片结温:普通晶闸管:Tj=125°C,  高频、快速晶闸管:Tj=115°C
  门极条件:门极电流IG=5IGT,  门极上升时间tr=1µs
 
二.             晶闸管高di/dt应用
提高晶闸管的临界电流上升率,对于用户使用有明显的意义。
1.    晶闸管的高di/dt,可以在许多场合省去了串联在晶闸管上的保护电感线圈,简化了整机设计,减小了设备成本。
2.  在并联逆变工作线路中,
晶闸管的高di/dt性能可使设计者减小晶闸管的换流时间,提高设备的工作频率。
3.  晶闸管的高di/dt性能可使它方便地应用于部分脉冲功率电源领域。
 
三.             晶闸管工作于高di/dt时需注意事项
1.    晶闸管的di/dt承受能力与其芯片结温有直接关系,di/dt承受能力随着温度的上升会有明显的下降。因此用户在使用时必须保证器件的散热条件。要求在工作过程中,普通晶闸管:Tj≤125°C,高频、快速晶闸管:Tj≤115°C。
2.晶闸管的di/dt承受能力实际反映了器件的电流快速开通能力,它受器件门极触发条件影响很大。采用上升率极陡的强触发脉冲,可以明显减小器件开通时间和开通损耗,增强器件di/dt承受能力。我们建议的触发脉冲要求为:
触发电流幅值:IGM=4-10IGT
触发电流上升时间:tr小于1µs
3.晶闸管在承受过高的di/dt时,会在其芯片产生局部瞬时高温,这种局部瞬时高温在长期工作中会影响器件的工作寿命。因此,使用者在任何时候,都应保证di/dt不应超过器件生产厂家给出的规定值,并且留有一定裕量。
4.晶闸管的di/dt与其开通损耗关系极大,晶闸管高di/dt应用于高频率场合时,需考虑开通损耗上升引起的结温上升,用户应考虑降低器件通过的通态电流或增强器件散热能力。
 
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